MEMORIA DIMM DDR4 KINGSTON (KVR26N19S6/8) 8GB, 2666MHZ, CL19, NON-ECC, VALUERAM, X16 SINGLE RANK

Memoria RAM Kingston ValueRAM DDR4, 2666MHz, 8GB, Non-ECC, CL19, x16 Single Rank**

La memoria RAM Kingston ValueRAM DDR4 de 8GB a 2666MHz es la solución ideal para aquellos que buscan mejorar el rendimiento de su PC o servidor con una opción confiable y eficiente. Diseñada para proporcionar un rendimiento superior y una alta eficiencia energética, esta memoria es perfecta para una amplia gama de aplicaciones.

Rendimiento Asegurado: Con la Kingston KVR26N19S6/8, puedes alcanzar nuevas alturas de rendimiento en tu sistema. Con una capacidad de 8GB y una velocidad de 2666MHz, esta memoria garantiza un desempeño excepcional, permitiendo una multitarea fluida y eficiente.

Eficiencia y Confianza: Diseñada para un consumo eficiente, esta memoria DDR4 asegura un rendimiento óptimo sin comprometer la eficiencia energética. Confía en la calidad de Kingston para satisfacer todas tus necesidades informáticas, desde tareas cotidianas hasta aplicaciones más intensivas.

Velocidad que Impulsa: Experimenta una velocidad impresionante con un tiempo de ciclo de fila de 45.75ns. Esta característica permite que la memoria maneje fácilmente aplicaciones exigentes y juegos intensivos, asegurando una experiencia de usuario sin interrupciones.

Confiabilidad Valiosa: La serie ValueRAM de Kingston es conocida por su alta confiabilidad. Con una clasificación UL94 V-0, esta memoria es una inversión segura para tu sistema, proporcionando estabilidad y durabilidad a largo plazo.

Adaptable a Cualquier Uso: Ideal para una amplia gama de aplicaciones, desde tareas diarias hasta edición de medios. La Kingston KVR26N19S6/8 es versátil y se adapta a tus necesidades informáticas cambiantes, asegurando que tu sistema pueda manejar cualquier desafío.

Temperatura Bajo Control: Diseñada para operar en un amplio rango de temperaturas, esta memoria puede funcionar de manera confiable desde 0°C hasta 85°C y almacenarse en temperaturas extremas de -55°C a +100°C. Esta resistencia asegura que tu sistema funcione de manera estable incluso en condiciones ambientales adversas.

**Especificaciones Totales**

Memoria: Latencia CAS de 19 ciclos, tiempo de ciclo de fila (tRCmin) de 45.75ns (mínimo), tiempo de comando (tRFCmin) de 350ns (mínimo), tiempo activo de fila (tRASmin) de 32ns (mínimo), clasificación UL94 V-0.

Temperatura: Temperatura de funcionamiento de 0°C a +85°C, temperatura de almacenamiento de -55°C a +100°C.

Generación y Calibración de VREFDQ: La memoria incluye generación y calibración de VREFDQ en el chip, asegurando un rendimiento óptimo y estable.

**Facturación y Atención al Cliente**

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